根據FOREXBNB的報道，中信證券在其研究報告中指出，1月15日，BIS對《出口管理條例》(EAR)進行了修訂，調整了DRAM的先進儲存定義。儘管工藝節點保持在18nm不變，但儲存單元面積和儲存密度的參數從2024年12月的1ynm調整為1xnm，並且增加了TSV通孔數的限制，这进一步强化了對HBM和先進DRAM的限制，推動了產業鏈國產化的加速。此次限制主要影響製造廠商和供應鏈，而設計廠商的業務仍在正常進行。中信证券對高端定制存储业务持乐观态度，並持續推薦。該機構也認為，在本土高階封測廠商和設備廠商的支持下，國內DRAM製造商有望突破HBM科技，相關環節的廠商將從中獲益，看好高階儲存產業鏈的國產替代。
以下是中信證券的主要觀點：
美國對中國的先進儲存技術限制再次升級，DRAM的先進儲存定義被修改，製程節點維持在18nm，儲存單元面積和儲存密度的參數從2024年12月的1ynm調整為1xnm，同時引入了TSV通孔數的限制。
具體來說：18奈米半間距對應的儲存單元面積從2024年12月的0.0019 µm2 調整為0.0026µm2，儲存密度從12月的0.288Gbit/mm2調整為0.2Gb/mm2（根據semiconductor-digest網站的數據，三星1x即18nm 8Gb DDR4/海力士1xnm的儲存單元面積是0.0026/0.0025µm2，三星1y nm 8 Gb LPDDR4X/美光1y nm 8 Gb DDR4/海力士1x LPDDR4的儲存密度分別為0.237/0.205/0.191 Gb/mm2，詳細參數比較請見附錄）；單die TSV數量限制在不超過3000個。HBM透過增加IO介面/通道數和提升IO傳輸速率來增加頻寬，其中IO介面与3D堆疊中的TSV通孔數量有強正相關性。控制單die的TSV數量，可能對TSV提升頻寬的技術路線構成潛在限制。
國產算力晶片目前的配置狀況：大多採用HBM2/2E，與海外相比落後兩代以上。
HBM作為一種新型儲存技術，能夠滿足AI算力晶片的高速傳輸需求，自2014年推出以來，隨著算力需求的持續高速成長，預計到2025年全球HBM容量需求將接近17億GB，佔DRAM出貨總容量的超10%，佔DRAM市場產值的超30%。國產訓練算力晶片多採用HBM2或HBM2E等儲存顆粒，而海外最新一代產品如NVIDIA的新創AI晶片H200及B100、B200已配備HBM3E等更先進的儲存顆粒。部分AI推理卡如NVIDIA L系列在成本考量下仍使用GDDR；另外，一些輕量級AI推理晶片可能会搭配LPDDR私用，如三星計劃推出的AI推理晶片Mach-1。中信證券認為，美國對華先進儲存限制將影響國內廠商對海外原廠HBM2/2E的採購（主要是三星電子和SK海力士），預計國內原廠可望推出國產HBM以取代海外產品，同時也有可能短期內將AI算力晶片配套存储从HBM降級至GDDR類或特殊DRAM。
風險因素：
國產算力晶片研發進展不如預期；國產算力晶片產能不如預期；大模型迭代速度不如預期；國產半導體設備研發進度不如預期；國產記憶體晶片客戶拓展不如預期；地緣政治風險等。
