根据FOREXBNB的报道，中信证券在其研究报告中指出，1月15日，BIS对《出口管理条例》(EAR)进行了修订，调整了DRAM的先进存储定义。尽管工艺节点保持在18nm不变，但存储单元面积和存储密度的参数从2024年12月的1ynm调整为1xnm，并且增加了TSV通孔数的限制，这进一步强化了对HBM和先进DRAM的限制，推动了产业链国产化的加速。此次限制主要影响制造厂商和供应链，而设计厂商的业务仍在正常进行。中信证券对高端定制存储业务持乐观态度，并持续推荐。该机构还认为，在本土高端封测厂商和设备厂商的支持下，国内DRAM制造商有望突破HBM技术，相关环节的厂商将从中获益，看好高端存储产业链的国产替代。
以下是中信证券的主要观点：
美国对中国的先进存储技术限制再次升级，DRAM的先进存储定义被修改，工艺节点维持在18nm，存储单元面积和存储密度的参数从2024年12月的1ynm调整为1xnm，同时引入了TSV通孔数的限制。
具体来说：18纳米半间距对应的存储单元面积从2024年12月的0.0019 µm2 调整为0.0026µm2，存储密度从12月的0.288Gbit/mm2调整为0.2Gb/mm2（根据semiconductor-digest网站的数据，三星1x即18nm 8Gb DDR4/海力士1xnm的存储单元面积是0.0026/0.0025µm2，三星1y nm 8 Gb LPDDR4X/美光1y nm 8 Gb DDR4/海力士1x LPDDR4的存储密度分别为0.237/0.205/0.191 Gb/mm2，详细参数对比请见附录）；单die TSV数量限制在不超过3000个。HBM通过增加IO接口/通道数和提升IO传输速率来增加带宽，其中IO接口与3D堆叠中的TSV通孔数量有强正相关性。控制单die的TSV数量，可能对TSV提升带宽的技术路线构成潜在限制。
国产算力芯片目前的配置情况：大多采用HBM2/2E，与海外相比落后两代以上。
HBM作为一种新型存储技术，能够满足AI算力芯片的高速传输需求，自2014年推出以来，随着算力需求的持续高速增长，预计到2025年全球HBM容量需求将接近17亿GB，占DRAM出货总容量的超10%，占DRAM市场产值的超30%。国产训练算力芯片多采用HBM2或HBM2E等存储颗粒，而海外最新一代产品如NVIDIA的新款AI芯片H200及B100、B200已配备HBM3E等更先进的存储颗粒。部分AI推理卡如NVIDIA L系列在成本考虑下仍使用GDDR；此外，一些轻量级AI推理芯片可能会搭配LPDDR私用，如三星计划推出的AI推理芯片Mach-1。中信证券认为，美国对华先进存储限制将影响国内厂商对海外原厂HBM2/2E的采购（主要是三星电子和SK海力士），预计国内原厂有望推出国产HBM以替代海外产品，同时也有可能短期内将AI算力芯片配套存储从HBM降级至GDDR类或特殊DRAM。
风险因素：
国产算力芯片研发进展不如预期；国产算力芯片产能不如预期；大模型迭代速度不如预期；国产半导体设备研发进展不如预期；国产存储芯片客户拓展不如预期；地缘政治风险等。
