根據智通財經APP的最新報導，TechInsights平台最近發布了T1-2025 DRAM視頻簡報。这份視頻簡報涵盖了DRAM技術的詳盡信息、路線圖更新、趨勢、對比分析以及未來展望。目前，D1a和D1b是市場上的主導產品。TechInsights預測，到2027年底，DRAM技術將進入個位數納米技術節點，包括D0a，隨後將是0b和0c代。
在2025年第一季度，市場上將首次推出少量D1c產品，由SK海力士率先推出。預計D1c代將在2026年2027年成為市場主流，涵蓋HBM4 DRAM應用。從市場角度來看，HBM產品，尤其是HBM3和HBM3E，雖然性能出色但目前價格較高，而传统產品如LPDDR5和DDR5器件則價格較低且性能相對較弱。
未來，AI和數據中心將需要更高單個裸晶的內存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb晶片，而目前市場上的主流產品仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM晶片领域，開發應3D DRAM架構，如4F2垂直溝道晶體管(VCT)單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元，並在10納米以下級別節點（個位數節點）實現產品化，特別是三星、SK海力士和美光等主要廠商，作為下一代DRAM縮放的潛在方案。
