根据智通财经APP的最新报道，TechInsights平台最近发布了T1-2025 DRAM视频简报。这份视频简报涵盖了DRAM技术的详尽信息、路线图更新、趋势、对比分析以及未来展望。目前，D1a和D1b是市场上的主导产品。TechInsights预测，到2027年底，DRAM技术将进入个位数纳米技术节点，包括D0a，随后将是0b和0c代。
在2025年第一季度，市场上将首次推出少量D1c产品，由SK海力士率先推出。预计D1c代将在2026年和2027年成为市场主流，涵盖HBM4 DRAM应用。从市场角度来看，HBM产品，尤其是HBM3和HBM3E，虽然性能出色但目前价格较高，而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。
未来，AI和数据中心将需要更高单个裸晶的内存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，而目前市场上的主流产品仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片领域，开发应3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管(VCT)单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，特别是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的潜在方案。
