三星和SK海力士在EUV光刻科技領域分道揚鑣

三星專注於提高良率，而SK海力士則專注於長期技術進步。

韓國兩大半導體巨頭三星電子和SK海力士在極紫外線（EUV）光刻技術上採取了不同的策略，引起了業界的高度關注。這項發展正值兩家公司都致力於增強其在高度動態和競爭激烈的半導體市場中的競爭力之際。

作為年終組織重組的一部分，三星電子在全球製造和基礎設施總部下成立了一個新的工作小組（TF），名為“EUV Synergy TF”。此舉被視為提高超精細半導體製造（例如 3 奈米 (nm) 代工廠）良率的努力。EUV Synergy TF 的任務是監督 EUV 設備管理，重點是提高光刻和追蹤設備的生產率。該團隊的目標是最大限度地提高EUV光刻設備中使用的各種材料和組件的生產率，其中包括ASML獨家供應的價值200億美元的光刻機和東京電子的EUV軌道設備。

三星對 EUV 技術的承諾體現在其對 EUV 光刻機的大量投資。該公司已在其華城和平澤工廠購買了 30 多台 EUV 光刻機。EUV 光刻使用 13.5 nm 波長的光將半導體電路印製到晶圓上，對於生產較小、更複雜的半導體電路至關重要。三星於 2019 年將 EUV 引入其代工工藝，此後在提高其 10 奈米級第六代 DRAM 和低於 3 奈米代工廠的良率方面面臨挑戰。

相比之下，SK海力士則採取了不同的做法。該公司在今年的組織重組中解散了EUV TF，並將其併入未來技術研究院。此舉凸顯了 SK 海力士對長期技術進步的關注，而不是眼前產量的提高。SK 海力士於 2021 年開始將 EUV 應用於其 10 奈米級第四代 DRAM，目前在利川的 M16 工廠運作著 10 多台 EUV 機器。

展望未來，SK海力士未來技術研究所預計將專注於準備推出下一代 EUV 光刻設備，即高數值孔徑機器。SK海力士預計最快將於明年下半年收到第一台高NA機器。這項戰略轉變凸顯了 SK 海力士致力於保持技術領先地位並為半導體製造的未來進步做好準備。

NAND衰退期間，三星和SK海力士竭盡全力降本

三星電子和SK海力士等國內記憶體產業在NAND衰退期間奉行“降低成本”投資策略。據了解，該公司最近開始致力於大幅減少遺留NAND產量，同時將開工率較低的舊設施改造為最先進的設施。

據業內人士近日透露，三星電子和SK海力士要求主要合作夥伴在今年下半年對現有NAND設施進行改造。

近來，由於PC和智慧型手機等IT需求低迷，NAND市場價格呈下滑趨勢。根據市場研究公司Trend Force的數據，用於記憶卡和USB的通用NAND快閃記憶體產品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定交易價格為2.16美元，季減29.80%。

尤其是老款NAND，例如第7代，供應嚴重過剩。除了IT需求下降之外，日本Kiosia、中國廠商等後來者也加入了競爭。

第 7 代（V7）NAND 是儲存記憶體的單元堆疊成約 170 層的 NAND。NAND 效能隨著堆疊更多單元而提高。三星電子和SK海力士將從2021年底開始量產第7代NAND。

相應地，國內記憶體產業降低了7代NAND的開工率，並請合作夥伴進行改造，將閒置的設施用作8代和9代NAND的設施。另外，也決定延後或減少現有尖端NAND的新設施投資計劃。

本文轉載自微信公眾號“ 半導體產業觀察”；FOREXBNB編輯：王秋佳。